少子寿命测量仪BLS-I测试硅棒
1、用途(高频光电导)
用于硅、锗单晶的少数载流子寿命测量,除需要有一个测量平面外,对样块
体形无严格要求,可测块状和片状单晶寿命。寿命测量可灵敏地反映单晶体
内重金属杂质污染及缺陷存在的情况,是单晶质量的重要检测项目。
2、设备组成
2.1、光脉冲发生装置
重复频率>25次/s 脉宽>60μs 光脉冲关断时间<0.2-1μs
红外光源波长:1.06~1.09μm(测量硅单晶) 脉冲电流:5A~20A
如测量锗单晶寿命需配置适当波长的光源
2.2、高频源
频率:30MHz 低输出阻抗 输出功率>1W
2.3、放大器和检波器
频率响应:2Hz~2MHz
2.4、配用示波器
配用示波器:频带宽度不低于10MHz,Y轴增益及扫描速度均应连续可调。
3、测量范围
可测硅单晶的电阻率范围:ρ≥0.1Ω·㎝(欧姆·厘米),寿命值的测量范围:5~6000μs